دروغ سنج ساده
در اینجا مدار
دروغ سنج ساده ای داریم که می توان آن را در عرض چند دقیقه ساخت . اما این
مدار زمانی که می خواهیم از صحت گفته های فردی مطمئن شویم به شکل باور
نکردنی مفید می باشد .این مدار توسط اندازه گیری مقاومت پوست عمل می کند
.مقاومت پوست هنگام دروغ گفتن کاهش می یابد.این مدار دارای مهارت و حساسیتی نیست که برای افراد حرفه ای به کار رود ، ولی در هر صورت عمل می کند . .
شکل مدار
اجزای مدار
بخش |
تعداد |
توضیح |
R1 |
1 |
33K 1/4W مقاومت |
R2 |
1 |
5K Pot |
R3 |
1 |
1.5K 1/4W مقاومت |
C1 |
1 |
1uF 16V خازن الکترولیتی |
Q1 |
1 |
2N3565 NPN ترانزیستور |
M1 |
1 |
0-1 mA مولتی متر عقربه ای دارای رنج میلی آمپر |
MISC |
1 |
Case, Wire, Electrodes (See Nots) |
نکاتی در مورد مدار
1-الکترود ها می توانند از نوع انبر سوسماری باشند . اگرچه
ممکن است که اتصال آن ها به پوست دردناک باشد .تشک (پد) الکترودها مشابه گونه ای
است که در بیمارستان ها استفاده می شود یا حتی می تواند تنها تکه ای سیم و یا نواری
باشد .
2.- برای استفاده از مدار ، باید الکترودها را به پشت دست شخص مورد نظر متصل کرد سطح
تماس باید حدود یک اینچ (سه سانتیمتر ) باشد. سپس دستگاه اندازه گیری را برای
خواندن عدد صفر تنظیم کنید . پس از طی مراحل گفته شده سوالات خود را از شخص بپرسید
. اگر در هنگام جواب دادن شخص ، دستگاه اندازه گیری تغییراتی را نشان داد ، شما
باید بدانید که او دروغ می گوید .
آی سی ۵۵۵ جزء آی سی های تایمر محسوب می شود .دارای کاربرد فراوانی در مدارات و بخصوص در تکنیک پالس می باشد .بعلت ساختمان و نوع طراحی ، با این Ic و چند عدد مقاومت و خازن می توان انواع مدارات منواستابل و آستابل و مدارات تایمر و مولد شکل موج را طراحی و اجرا نمود
ولتاژ تغذیه IC چیزی بین ۵ تا ۱۵ ولت و حداکثر ۱۸ ولت است . خروجی این IC (پایه ۳) دارای دو سطح ولتاژ بالا (نزدیک به VCC) و پائین (نزدیک بهGND) است .و باری را که تا ۲۰۰ میلی آمپر جریان بکشد ، می تواند تغذیه کند.از این رو مستقیما بسیاری از رله ها و یا بلندگوها و… رابدون استفاده از طبقات تقویت کننده جریان اضافی با این IC می توان تحریک نمود.برای بررسی نحوه کار IC ابتدا مدار داخلی آن را به صورت شکاتیک بررسی می کنیم.
الف)- تغذیه :
پایه ۸ به یک ولتاژ مثبت و پایه ۱ به زمین وصل می شود.تا تغذیه IC فراهم گردد (در شمای داخلی خطوط تغذیه فلیپ فلاپ ، مقایسه کننده ، بافر تقویت کننده جریان و VREF رسم نشده است)با توجه به شکل ولتاژ VCC روی سه عدد مقاومت ۵ کیلو اهمی (وجه تسمیه این IC یعنی ۵۵۵) تقسیم شده و با توجه به امپدانس ورودی زیاد مقایسه کنندهها ، ولتاژهای ۲/۳VCC و VCC/3 را به ترتیب در ورودی منفی تقویت کننده اول و ورودی مثبت مقایسه کننده دوم بوجود میآورد.
ب)- خروجی:
پایه ۳ از طریق یک تقویت کننده جریان ولتاژ خروجی فلیپ فلاپ را برای استفاده در خارج IC منتقل می کند.
ج)- تریگر:
چنانچه ولتاژ پایه ۲ از VCC/3 کمتر شود ،با توجه به ورودی های مقایسه کننده آنالوگ دوم خروجی این این مقایسه کننده بالا رفته و باعث ست شدن فلیپ فلاپ Q=1 ( که با لبه بالا رونده کار می کند)می گردد.یعنی خروجی فلیپ فلاپ یا خروجی خود IC در این حالت بالا می رود و حتی اگر ولتاژ پایه ۲ باز هم از VCC/3 بیشتر شود و خروجی مقایسه کننده پایین بیاید تغییری در خروجی مشاهده نمیشود.
د)-ترشولد :
چنانچه ولتاژ پایه ۶ از ۲/۳VCC ( یا ولتاژ پایه ۵( بیشتر شود ، با توجه به ورودی های مقایسه کنندهی اول ،خروجی مقایسه کننده High شده و فلیپ فلاپ را Reset و خروجی IC را صفر می کند.
ه )-دشارژ :
همانطور که از روی شکل پیداست، هنگامی که فلیپ فلاپ ست باشد خروجی Q’ فلیپ فلاپ ترانزیستور Q1 را قطع خواهد کرد (ولتاژ بیس صفر می شود)اما در هنگام Reset ترازیستور اشباع شده ، پایه ۷ به زمین وصل میشود . از این عمل بیشتر برای تخلیه خازن و رفتن به سیکل بعدی تایمینگ استفاده می شود .ولی بسته به نوع مدار و نظر طراح ، می تواند استفاده های دیگری هم داشته باشد .
و) کنترل ولتاژ:
اگر بخواهیم ولتاژ آستانه بالایی (ترشولد Vu ) و آستانه پایینی (تریگر Vl) موجود در ورودی منفی مقایسه کننده اول و ورودی مثبت مقایسه کننده دوم ،همان ۲/۳VCC و VCC/3 بماند با این پایه )۵( کاری نداریم فقط برای تثبیت تغییرات ناگهانی ولتاژ ( ناشی از عدم تثبیت تغذیه یا عوامل دیگر بخصوص در زمان تغییر وضعیت فلیپ فلاپ) این پایه را با یک خازن ۰٫۰۰۱ تا ۰٫۱ میکرو فاراد با کیفیت خوب وصل می کنیم .آزاد گذاشتن این پایه در فرکانس های کم و جاهائیکه منبع تغذیه دارای تثبیت خوبی است و نویز کم است ، اشکالی ندارد . و اما چنانچه بخواهیم ولتاژ های آستانه را خودمان تغییر داده یا کنترل کنیم با اعمال هر منبع ولتاژی ( با مقاومت داخلی در حدود کمتر از ۵ کیلو اهم) به پایه ۵ ،همان ولتاژ برابر Vu و نصف آن برابر Vl خواهد بود . از این پایه برای مدولاسیون پهنای پالس یا کنترل تاخیر بوسیله ولتاژ و. .. استفاده می شود .
ز ) Reset:
پایه ۴ در صورت عدم استفاده معمولا با یک مقاومت یا به طور مستقیم به پایه ۸ (VCC) وصل میشود ، تا احتمالا نویز یا الکریسیته القائی باعث تحریک ناخواسته آن نشود .در صورتیکه بخواهیم از این پایه استفاده کنیم معمولا آن را با یک مقاومت به Vcc وصل می کنیم و هنگامیکه این پایه حتی برای یک لحظه زمین کنیم ،ترانزیستور Q2 اشباع شده Vref رابه فلیپ فلاپ اعمال کرده باعث رست شدن آن می شود . Reset شدن فلیپ فلاپ توسط پایه ۴ مستقل از وضعیت پایه های ۲و۶ بوده و خروجی IC حتما Low می شود.
نیمه رساناها (Semi-Conductors) در زندگی ما و بهتر بگوییم در قدم گذاردن بشر به عصر دیجیتال و فیزیک و الکترونیک نوین؛ نقش تاریخی ایفا کردهاند.
نیمه رساناها را در درون دستگاههای گوناگونی یافت میکنید. اساس ساخت پردازشگرها و ریز پردازندهها و تمام دستگاههایی که به نحوی اطلاعات و عملیاتی را پردازش میکنند، نیمه رساناست. از کامپیوتر شخصی شما گرفته تا پخش کننده mp3 و دستگاههای عکسبرداری پزشکی MRI.
نیمه رسانا در سادهترین شکل خود یک «دیود» (Diode) یا یکسو کننده است و برای درک ساختار نیمه رساناها بهتر است از مطالعه روی دیود شروع کنیم. در ادامه به چگونگی ساخت دیود میپردازیم.
سیلیکون یکی از عناصر سازنده زمین و بعد از اکسیژن بیشترین فراوانی را در پوسته زمین دارد به طوری که 25.7٪ از جرم پوسته زمین از سیلیکون تشکیل شده است.
سیلیکون عنصر چهاردهم جدول تناوبی عناصر است و با نماد Si شناخته میشود. سیلیکون در حالت آزاد به صورت جامد سخت و شفافی یافت میشود.
کربن، ژرمانیم و سیلیکون (ژرمانیم نیز مانند سیلیکون یک نیمه رسانا است) همگی خواص مشابهی در لایه ظرفیت الکترونی خود دارند که آنها را از باقی عناصر متمایز میسازد. دارا بودن 4 الکترون در اربیتال آخر آنها و نیمه پر بودن لایه ظرفیت خواصی مانند تشکیل کریستال و خاصیتها ترکیبی منحصر بفردی را برای این عناصر بوجود آورده است.
شبکه یونی در کربن به شکل کریستال شفاف است ولی در سیلیکون به شکل جامد نقرهای رنگ است.
فلزات به دلیل دارا بودن الکترونهای آزاد در لایه ظرفیت خود معمولاً رساناهای خوبی برای جریان برق هستند. با اینکه بلور سیلیکون شبیه فلز است ولی خواص فلزی ندارد.
الکترونها لایه خارجی در سیلیکون در قید جاذبه بین یکدیگر هستند و در ضمن گاف انرژی در بین لایههای پر و خالی برای انتقال الکترون کافی نیست.
تمامی این شرایط را میتوان تغییر داد و میتوان سیلیکون را تبدیل به ماده دیگری کرد که خواص رسانایی الکتریکی را داشته باشد. این کار طی پروسهای به نام ناخالص سازی انجام میشود.
در این روش به شبکه یونی سیلیکون ناخالصیهایی اضافه میشود.
ناخالصیهایی که به ساختار شبکه سیلیکون اضافه میشود را میتوان با دو دسته تقسیم کرد:
• نوع N: با اضافه کردن ناخالصیهایی از قبیل فسفر و یا آرسنیک در مقادیر بسیار کم. آرسنیک و فسفر هر دو پنج الکترون در لایه ظرفیت خود دارند به همین دلیل الکترون پنجم لایههای ظرفیت آنها میتواند به عنوان الکترون آزاد عمل کند و کار انتقال جریان را انجام دهد. این نوع سیلیکون رسانای خوبی است. الکترون بار منفی و یا Negative دارد به همین دلیل به این نوع N میگویند.
• نوع P: در اینجا عناصر بور و گالیم به سیلیکون اضافه میشوند. این دو عنصر سه الکترون در لایه ظرفیت خود دارند. وقتی به شبکه یونی سیلیکون وارد می شوند حفرههایی را ایجاد میکنند که باعث میشود که الکترون سیلیکون پیوند خود را از دست بدهد. وقتی یکی از الکترونها از شبکه یونی خارج شود، خاصیت مثبت الکتریکی در ماده ایجاد میشود. به این ترتیب حفره و یا بهتر بگوییم فضای خالی الکترون میتواند میزبان خوبی برای الکترون از اتم کناری باشد و به این ترتیب جریان میتواند به راحتی در آن شارش کند. از این رو این نوع را P مینامند که این نوع دارای بار مثبت یا Positive است.
مقدار کمی ناخالصی میتواند سیلیکون عایق را به رسانای تقریباً خوبی تبدیل کند. از این رو به آن نیمه رسانا میگویند.
نوع N و P به تنهایی کار زیادی انجام نمیدهند ولی هنگامی که به هم متصل میشوند رفتار الکتریسیتهای جالبی از خود نشان میدهند. با قرار دادن این دو به هم دیود ایجاد میشود.
دیود جریان را تنها در یک جهت از خود عبور میدهد. به همین دلیل آن را یکسو کننده نیز مینامند. قسمت مثبت یعنی P یا حفره به طرف منفی باتری متصل و N یا الکترون به طرف مثبت آن. هیچ جریانی از محل اتصال عبور نمیکند زیرا الکترونها در N و P در خلاف یکدیگر حرکت میکنند.
اگر باتری را در جهت دیگر متصل کنید الکترونهای قسمت N توسط قطب منفی دفع و حفرههای P توسط قطب مثبت دفع میشوند. در محل اتصال حفرهها و الکترونها به هم میرسند و محل حفرهها با الکترونها پر میشود و جریان در محل اتصال شارش میکند.
از لحاظ الکتریکی یک دیود هنگامی عبور جریان را از خود ممکن میسازد که شما با برقرار کردن ولتاژ در جهت درست (+ به آند و - به کاتد) آنرا آماده کار کنید. مقدار ولتاژی که باعث میشود تا دیود شروع به هدایت جریان الکتریکی نماید ولتاژ آستانه یا (forward voltage drop) نامیده میشود که چیزی حدود ۰٫۶ تا ۰٫۷ ولت میباشد.
اما نکته مهم آنکه تمام دیودها یک آستانه برای حداکثر ولتاژ معکوس دارند که اگر ولتاژمعکوس بیش از آن شود دیوید میسوزد و جریان را در جهت معکوس هم عبور میدهد. به این ولتاژ آستانه شکست گفته میشود.
در ادامه به کاربردهای دیودها و ترانزیستورها میپردازیم. تا اینجا دریافتیم که دیود وسیلهای است که جریان را در جهتی حرکت میدهد در حالی که در جهت دیگر آن را متوقف میکند.
کاربردهای زیادی از همین خاصیت میشود. برای مثال وسایلی که نیروی محرکه الکتریکی آنها از باتری تأمین میشود دارای دیود هستند و اگر باتری را در جهت اشتباه بزنید دیود جلوی عبور جریان را میگیرد و به دستگاه آسیبی نمیرسد.
ترانزیستور مجموعهای از دیودهای متصل به هم است. این اتصالها که معمولاً به صورت NPN و یا PNP انجام میشنوند به صورت یک سوئیچ عمل میکند. شاید فکر کنید که با این کار دیگر هیچ مقداری جریان از ترانزیستور گذر نمیکند. دقیقاً همینطور است.ولی اگر جریان به محل میانی ترانزیستور داده شود میتواند جریان بسیار کمی را به جریان زیادی در یک جهت تبدیل کند.
همین واقعیت است که خاصیت سوئیچ بودن را به ترانزیستور میدهد و میتواند با جریانی کم روشن و خاموش شود.
با استفاده از همین حقایق امروزه میلیونها ترانزیستور پردازشگرها را تشکیل میدهند که در حقیقت میلیونها سوئیچ متصل به هم هستند.
همانطور که میدانید اساس دیجیتال واحدهای باینری یا صفر-و-یک است. به این ترتیب این سوئیچها میتوانند میلیونها محاسبه و عملیات منطقی را انجام دهند که میتواند به پردازشهای بزرگی ختم شود.
فیبر نوری چیست؟ ساختار فنی آن چگونه است و از چه موادی ساخته میشود؟
نتقال نیروی برق بدون
استفاده از سیم، از رویاهای دیرینه نویسندگان علمیتخیلی به شمار میرود.
اما با پیشرفتهای مهندسی، ابزارهای همراه و خودروهای الکتریکی، این رویا
به زودی به واقعیت میپیوندد. به
گزارش سرویس علم و فن آوری پایگاه اطلاع رسانی صبا به نقل از خبرآنلاین
کابلهای برق همواره گرد و غبار را به خود جلب میکنند. کامپیوترها،
تلویزیونها و پخش کنندههای موسیقی هر ساله باریکتر میشوند، ولی
سیمهای جمع شده در گوشه هر اتاق، یک مانع زشت بر سر راه مینیمالیسم واقعی
است. آیا راهی برای حل این مشکل وجود دارد؟
ایده
انتقال بیسیم نیرو تقریبا به اندازه خود تولید برق قدمت دارد. در آغاز
قرن بیستم، نیکلا تسلا پیشنهاد استفاده از کویلهای بزرگ برای انتقال برق
از طریق لایه تروپوسفر اتمسفر به خانهها را داد. او حتی شروع به ساخت یک
برج به نام واردنکلیف در لانگآیلند نیویورک کرد، که یک برج مخابراتی
خیلی بزرگ بود که میتوانست با استفاده از آن ایده خود برای انتقال بیسیم
نیروی برق را بیازماید. ولی داستان جایی قطع شد که حامیان مالی وی، هنگامی
که دریافتند که هیچ راه عملی وجود ندارد که بشود مطمئن شد که مردم پول
برقی را که از ان استفاده میکنند میپردازند، و در عوض شبکه برق سیمی
گسترش یافت.
دردسری به نام کابل برق به رغم اینکه ما در آینده نزدیک شاهد یک شبکه نیروی بیسیم نخواهیم بود، ایده تاباندن انرژی در یک مقیاس کوچکتر به سرعت در حال گسترش است. این تا حد زیادی به این دلیل است که با وجود ارتباطات بیسیم، مانند وایفای و بلوتوث، و مدارهای الکتریکی که هر روز کوچکتر میشوند، اکنون کابلهای برق تنها مانع بر سر راه این هستند که کاملا قابل حمل شوند. با
این محرک جدید، مهندسین و شرکتهای نواور به استقبال این چالش رفتند و به
رغم اینکه تاباندن انرژی هنوز در مرحله طفولیت قرار دارد، به نظر میرسد
که سه حالت برای آینده آن متصور باشد. استفاده از امواج رادیویی برای
انتقال الکتریسیته شاید مشخصترین راه حل باشد، چرا که در اصل از همان نوع
از فرستندهای و گیرندهای استفاده میکنید که در مخابرات وایفای از آن
استفاده میشود. شرکت پاورکست که در پیتزبورگ پنسیلوانیا مستقر است، به
تازگی از این فناوری برای انتقال نیرویی در حد میکرووات و یا میلیوات در
فواصل بیش از 15 متر برای حسگرهای صنعتی استفاده کرده است. آنها اعتقاد
دارند که میتوان یک روز از رویکرد مشابهی برای شارژ ابزارهای کوچکی مانند
کنترل از راه دور، ساعتهای زنگدار و یا حتی موبایل استفاده کرد. یک
احتمال دوم برای ابزارهای پرمصرفتر، تاباندن یک پرتو لیزر فروسرخ تنظیم
شده به یک سلول فتوولتائیک است که پرتو را به انرژی الکتریکی بازتبدیل
میکند. این رویکردی است که شرکت PowerBeam واقع در سنخوزه کالیفرنیا
انتخاب کرده است، ولی تا کنون بازدهی آن تنها بین 15 و 30 درصد بوده است.
درست است که میتوان از این روش برای تامین نیروی دستگاههای پرمصرفتر
استفاده کرد، ولی در عمل تلفات زیادی دارد. این
فناوری برای تامین نیروی لامپهای بیسیم، بلندگوها و ابزارهای الکترونیک
با مصرف برق کمتر از 10 وات به کار رفته است. در طول زمان و با ارتقای
فناوری لیزر و سلولهای فتوولتائیک، شرکت امیدوار است که بازدهی بالاتر از
50 درصد هم امکان پذیر شود. گراهام میگوید: «هیچ دلیلی وجود ندارد که ما
نتوانیم در نهایت یک لپتاپ را به این ترتیب شارژ کنیم». بر خلاف برخی از
فناوریهای امکان پذیر دیگر، یک لیزر متمرکز انرژی کمی را در فواصل طولانی
از دست میدهد، و بازدهی خود را از دست نمیدهد: «صد متر فاصله طوانی
محسوب نمیشود». پرتوهای دردسرساز دیگران نسبت به عملی بودن این روش برای ابزارهای واقعا قابل حمل خوشبین نیستند، ابزاری که دائما در و بین اتاقها در حرکت هستند. منو ترفرز، رئیس کنسرسیوم نیروی بیسیم در هلند میگوید: «یک پرتو فروسرخ نمیتواند برای شارژ یک گوشی موبایل مناسب باشد، چرا که جای مشخصی ندارد». راه حل پاوربیم قرار دادن یک لامپ کوچک فلوئورسنت در دستگاه گیرنده است تا دوربینی که در فرستنده کار گذاشته شده است، بتواند آن را رهگیری کند و امواج لیزر را به همان سو بفرستد. مشکل دیگر این است که برای هر دستگاهی که میخواهید شارژ کنید باید یک پرتو مجزا فرستاده شود، مسئلهای که به گفته آریستیدیس کارالیس از امآیتی برای مهندسین دردسرساز خواهد بود، وی در حال حاضر مشغول کار بر روی یک سیستم جایگزین انتقال بیسیم نیروی برق است. سومین
احتمال نیز القای مغناطیسی است، که جذابترین انتخاب برای کاربردهای بزرگ
محلی است. یک میدان مغناطیسی متناوب که از یک کویل ناشی میشودکه میتواند
در کویل دیگری که در نزدیکی آن باشد، جریان الکتریکی را القا کند، این همن
روشی است که خیلی از ابزارها مانند مسواکهای برقی و حتی برخی از
موبایلها باطریهای خود را شارژ میکنند. ولی مشکل اینجا است که به رغم
اینکه درست در مجاورت کویل، بازدهی دستگاه خیلی خوب است ولی وقتی که حتی
تنها چند میلیمتر فاصله وجود داشته باشد، این بازدهی به صفر میرسد. این
اصل شناخته شدهای است که در صورتی که دو شیء در فرکانس مشابهی رزونانس
داشته باشند، انرژی مکانیکی منتقل شده، خیلی بیشتر میشود، وقتی که یک
خواننده اپرا با صدای خود یک لیوان را به لرزش در میآورد از همین اصل
استفاده میکند. کارالیس و همکارانش میخواستند تا ببینند که آیا میتوان
به همین ترتیب بازدهی میدان مغناطیسی را در فواصل طولانیتر بالا برد یا
نه. گروه از یک کویل القایی متصل به یک خازن
استفاده کردند. انرژی در مدار به سرعت بین یک میدان الکتریکی در خازن و یک
میدان مغناطیسی در کویل نوسان میکند. فرکانس این لرزش توسط توانایی خازن
برای ذخیره بار و قابلیت کویل برای تولید یک میدان مغناطیسی کنترل میشود.
اگر فرکانس در مدار فرستنده انرژی با گیرنده متفاوت باشد، رزونانس اتفاق
نمیافتذ. نتیجه این خواهد بود که انرژی ارسالی از سوی فرستنده هم فاز با
انرژی که در گیرنده وجود دارد نخواهد بود و در نتیجه آن، این دو همدیگر را
خنثی میکنند. ولی گروه به این نکته توجه داشت که اگر فرستنده و گیرنده
رزونانت باشند، میدانها در دو کویل با هم سنکرون خواهند بود، که به این
معنی است که تداخل آنها سازنده است و مقدار انرژی منتقل شده افزایش
مییابد. آنها نظریه خود را در سال 2007 با
موفقیت آزمایش کردند، نتیجه: انتقال 60 وات در فاصله 2 متر، با بازدهی 50
درصد. گروه از آن زمان و برا پیشبرد این نظریه، یک شرکت تاسیس کرده که
WiTricity نام دارد. سال ذشته، شرکت از دو کویل مربعی به عرض 30 سانتیمتر
استفاده کرد، یکی در فرستنده و دیگری در گیرنده، تا یک تلویزیون 50 واتی
را با بازدهی 70 درصدی، در فاصله نیم متری از منبع نیرو تغذیه کند.
کارالیس میگوید: «در برخی موارد، افزایش بازدهی در اثر رزونانس میتواند
بیش از صد هزار بار بیش از حالت بدون رزونانس باشد». بر خلاف انتقال انرژی
لیزری که نیاز به دید مستقیم داشت، میدان مغناطیسی روی گیرنده متمرکز
نمیشود و میتواند از موانع بین فرستنده و گیرنده هم عبور کند. شرکتهای
بزرگ الکترونیکی نیز به سرمایه گذاری روی «انتقال رزونانسی» علاقه نشان
دادهاند. برای مثال، سونی یک تلویزیون بیسیم را به نمایش گذاشته و اینتل
نیز در حال سرمایه گذاری بر روی این فناوری برای دستهای از ابزارها است.
امیلی کوپر، از محققین آزمایشگاه اینتل در سیاتل میگوید: «بازدهی انتقال
نیرو کاملا مستقل از میزان توان است، در نتیجه میتوان برای لپتاپها،
دستگاههای الکترونیکی برای مصرفکنندگان مانند تلویزیونها، و ابزارهای
کوچکتر قابل حملی مانند موبایلها هم میتوان از همین روش استفاده کرد».
به عبارت دیگر، بازدهی انرژی برای تغذیه یک تلویزیون پلاسمای بزرگ و یک
پیدیای کوچک با استفاده از رزونانس به یک اندازه خواهد بود. با
چنین ارائههای نویدبخشی، به نظر محتمل میآید که انتقال نیرو بدون سیم،
در آینده نقش مهمی در منازل ما بازی کند. در حال حاضر، یک استاندارد
تکنیکی، که Qi نام دارد، برای تکنیک القای مغناطیسی غیر رزونانسی وجود
دارد، و صفحات سازگار با آن نیز به زودی در دسترس خواهند بود. برای دیگر
روشها هنوز زود است، ولی استانداردهای مشابهی نیز برای آنها ارائه خواهند
شد. مضرات برای انسان ولی این فناوری با موانعی نیز روبرو خواهد شد. به یک دلیل، شما نگرانی در مورد انتقال پرتوهای نسبتا پرتوان انرژی از اتمسفر را نادیده گرفتهاید. برای مثال، انتقال لیزری را در نظر بگیرید: کارالیس میگوید که «انرژی بالایی که در پرتوهای اریک لیزر متراکم شده میتواند صدمات جدی به سلامتی افراد وارد کند». ولی در محصولات پاوربیم این امر خطرناک نخواهد بود. اگر دوربین کوچک روی فرستنده نتواند لامپ کوچک روی گیرنده را ببیند، در عرض چند هزارم ثانیه لیزر را خاموش میکند. و جهت افزایش ایمنی هم، اگر گیرنده یک قطعی ناخواسته در دریافت لیزر را حس کند، پیامی از طریق رادیو برای فرستنده ارسال میکند. ولی قرار گرفتن در معرض امواج
رادیویی و میدانهای مغناطیسی متناوب نیز خطرات بالقوه خود را دارد. اگر
آنها گرما را به سلولهای ما ارسال کنند، میتوانند در یک بازه زمانی
طولانی به بافتها آسیب وارد کنند. ولی با توجه به این که میزان امواجی که
محصولات شرکتهایی مانند ویتریسیتی ما را در معرض آن قرار میدهند کمتر از
حد مجاز استانداردها است، نباید خطر خاصی ما را تهدید کند. ولی
این ترس وجود دارد که میدانهای الکترومغناطیسی بافتها را از طریق یک
مکانیزم دیگر غیر گرمایی تخریب کنند، مانند نگرانی که در مورد گوشیهای
موبایل وجود دارد. وقتی که هیچ تحقیق گسترده در دسترسی برای آزمودن در
معرض قرار گرفتن در طولانی مدت وجود ندارد، آنها مجبور بودند که به
تحقیقات آزمایشگاهی اتکا کنند، که آنها هم هیچ تاثیر آشکار یا تکرار پذیری
را پیدا نکردهاند. و این یعنی این که این قضیه مضر بودن یا نبودن امواج
مایکروویو کماکان لاینحل باقی خواهد ماند. ولی
شاید نگرانی بیشتر مربوط به مسائل زیست محیطی باشد. در حالی که زمین هر
روز گرمتر میشود، خیلی از مردم به دنبال راهی برای افزایش بهرهوری و
ذخیره انرژی میگردند، تا به این ترتیب انتشار گازهای گلخانهای از
نیروگاهها کاهش یابد. برای برخی از افراد، انتقال بیسیم نیروی برق با
توجه به تلفاتش، به معنی یک گام رو به عقب خواهد بود. شاید
وقتی به تک تک ابزارها نگاه میکنیم، میزان اتلاف انرژی زیاد به نظر نرسد،
ولی اگر کل خانه از یک سیستم بیسیم استفاده کند و این امر در تعداد زیادی
از منازل اتفاق بیفتد، داستان دیگری خواهد بود. پرسش این است که چرا باید
به جای کاهش تلفات مصرف برق، رو به یک سیستم بیسیم انتقال انرژی بیاوریم،
فقط به این دلیل که زیباتر خواهد بود؟ |
لامپ هالوژن نوعی لامپ رشتهای است که در آن رشته به وسیله گازهای فشرده و خنثی و مقدار اندکی از عناصر هالوژن مانند ید و برم احاطه شده است. چرخه موجود در لامپهای هالوژن که موجب تهنشین شدن مجدد تنگستن بخار شده بر روی رشته میشود نقش موثری در افزایش عمر این نوع لامپهای دارد. در این لامپها به علت وجود همین چرخه امکان بالا بردن دمای رشته بدون کاهش یافتن عمر لامپ نسبت به لامپهای معمولی نیز به وجود میآید که به افزایش بهرهوری این لامپها میانجامد. این لامپها همچنین به علت اندازه کوچکترشان کابردهای خاصی در سیستمهای روشنایی دارند....
برای دیدن ادامه مطلب روی لینک زیر کلیک کنید...
تاریخچه
اولین لامپها از این دست در سال 1959 به وسیله شرکت جنرال الکتریک (GE) روانه بازار شد. در این لامپها از ید استفاده میشد و آنها را کوارتز-ید (Quartz Iodine) مینامیدند. خیلی زود برم نیز به عنوان عنصری مناسب و با مزیت برای این کار شناخته شد. در آن زمان از این لامپها در کاربردهای خاص و برای روشنایی استادیوها, پروژکتورها و لامپهای خودرو استفاده میشد. بعدها در اوایل دهه 1970 حبابهای خاصی نیز برای این لامپها ایجاد شد که آلومینوسیلیکا نام داشت. امروزه بالا رفتن تکنولوژی ساخت این لامپها موجب پایین آمدن قیمت این لامپها و افزایش بهرهوری آنها شده و امکان استفاده از این نوع لامپها در کاربردهای مختلفی ایجاد شده است.
در این لامپها وظیفه هالوژن ایجاد یک چرخه شیمیایی است که در ان تنگستن بخار شده در اثر حرارت از روی سطح رشته دوباره بر روی آن تهنشین شود. از آنجا که در لامپهای التهابی معمولی تنگستن بخار شده, بر روی حباب لامپ تهنشین میشود تهنشین نشدن تنگستن بر روی حباب در لامپهای هالوژن موجب تمیز ماندن حباب و ثابت ماندن نور لامپ در طول امر این لامپها میشود. عملکرد هالوژن در در لامپ به این صورت است که هالوژن در قسمتهای کم دماتر حباب با بخار تنگستن ترکیب میشود. این ترکیب با رسیدن با نقاط بسیار داغ لامپ یعنی روی رشته جداشده و دوباره به صورت هالوژن و تنگستن در میآید و به این ترتیب هالوژن تنگستن بخار شده را دوباره به رشته بازمیگرداند. برای آنکه هالوژن و بخار تنگستن با هم ترکیب شیمیایی شوند دمای داخلی حباب لامپ باید از لامپهای معمولی بیشتر باشد. برای جلوگیری از آسیب دیدن حباب در این دما حباب این لامپها باید از کوارتز یا انواع دیگر شیشهها با دمای ذوب بالا (مانند آلومینوسیلیکا) ساخته شود. از آنجایی که کوارتز از مقاومت خوبی در مقابل فشار برخوردار است استفاده از این ماده این امکان را فراهم میآورد تا فشار گاز داخل حباب افزایش یابد و افزایش فشار گازهای داخل حباب باعث کاهش تبخیر تنگستن از روی رشته و افزایش عمر لامپ میشود. به هر حال در این لامپها تنگستن بخار شده معمولا بر روی محل اولیه خود تهنشین نمیشود و در نهایت رشته در قسمتهایی که بیشتر گرم میشوند نازک شده و قطع میشود.
از انجایی که لامپهای هالوژن در دمایی بیشتر از دمای لامپهای معمولی کار میکنند امکان ایجاد مخاطرات به ویژه آتشسوزی به وسیله این لامپ نیز از لامپهای معمولی بیشتر است. از طرف دیگر حباب این لامپها به علت نزدیک بودن به رشته یا فیلامان دارای حرارت بالاتری است. از این جهت استفاده از محافظها و پوششهای مناسب برای این لامپها به ویژه در توانهای بالاتر از 1 یا 2 کیلووات ضروری است. استفاده از این گونه لامپها در نزدیکی پارچه یا دیگر مواد قابل اشتعال میتواند خطراتی را به دنبال داشته باشد.
افزون بر این امکان ایجاد آفتاب سوختی بر روی پوست پس از قرار گرفتن طولانی مدت در معرض نور این نوع لامپها به علت تششعات ماورای بنفش نیز وجود دارد. برای کاهش دادن تششعات ماورای بنفش و جلوگیری از برخورد اجسام خارجی با حباب لامپ این لامپها معمولا دارای یک شیشه خارجی جذبکننده ماورای بنفش هستند.
معمولا این لامپهای برای ولتاژ 12 ولت طراحی میشوند و لامپهای 6 یا 24 ولت نیز از این نوع برای کاربردهای دیگر ساخته میشود.
دوست عزیزم پروژهای در مورد ترانسفورماتورهای سه فاز انجام دادند که سرفصلهای این پروژه بشرح زیر است:
( پسورد مورد نیاز برای باز کردن فایل : www.ir-micro.com)
( پسورد مورد نیاز برای باز کردن فایل : www.ir-micro.com)
( پسورد مورد نیاز برای باز کردن فایل : www.ir-micro.com)
4-سنسورهای آلتراسونیک و کاربرد آن در اندازه گیری فاصله
( پسورد مورد نیاز برای باز کردن فایل : www.ir-micro.com)